硬掩模

硬掩模是在半導體加工中用作刻蝕掩膜的材料，替代聚合物或其他有機的「軟」抗蝕劑材料。

當被刻蝕的材料本身是有機聚合物時，就需要使用硬掩模。用於刻蝕該材料的任何物質也會刻蝕用來定義其圖案的光刻膠，因為光刻膠也是有機聚合物。例如，在超大規模集成電路製造中用於圖案化低介電常數絕緣層時，就會出現這種情況。聚合物易被氧、氟、氯等用於電漿體蝕刻的反應性氣體刻蝕。

使用硬掩模需要額外的沉積工藝，因此會增加成本。首先，通過標準光刻工藝沉積硬掩模材料並將其刻蝕成所需圖案。隨後，可以通過硬掩模對下層材料進行刻蝕。最後，通過進一步的刻蝕工藝去除硬掩模。

硬掩模材料可以是金屬或電介質。二氧化矽或碳化矽等基於矽的掩模通常用於刻蝕低κ介電層。然而，用於絕緣銅互連的碳摻雜氫化矽氧烷（SiOCH）需要使用能腐蝕矽化合物的刻蝕劑。對於該材料，則使用金屬或無定形碳硬掩模。最常見的金屬硬掩模是氮化鈦，但也曾使用氮化鉭。