晶圓背面研磨
晶圓背面研磨是半導體器件製造中的一個步驟，其目的是減薄晶圓厚度，以實現集成電路（IC）的堆疊和高密度封裝。
IC通常製造在經過多道工藝處理的半導體晶圓上。如今廣泛使用的矽晶圓直徑為200毫米和300毫米，厚度約為750微米，以確保基本的機械穩定性，並在高溫工藝中防止翹曲。
若不在各個維度上儘可能縮小組件尺寸，智慧卡、USB存儲器、智慧型手機、可攜式音樂播放器等超小型電子產品將無法實現。因此，在晶圓切割（即將晶圓分割成單個晶片）之前，通常會對晶圓背面進行研磨。如今，晶圓被減薄至75至50微米已很常見。[1]
在研磨前，晶圓通常會貼覆可紫外線固化的背面研磨膠帶，以防止研磨過程中晶圓表面受損，並避免研磨液和/或碎屑滲入造成表面污染。[2]整個過程中，晶圓還會使用去離子水清洗，以幫助防止污染。[3]
晶圓背面研磨過程也稱為「背磨」（backlap）[4]、「晶圓減薄」（wafer thinning）。[5]
完成背面研磨後，晶圓會通過稱為晶圓切割的工藝被切割成單個晶片。
相關
[編輯]參考
[編輯]- ^ International Technology （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） Roadmap for Semiconductors 2009 edition, page 12-53.
- ^ BG Tape （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）, by Lintec of America.
- ^ Wafer Preparation （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）, by Syagrus Systems.
- ^ Introduction to Semiconductor Technology, by STMicroelectronics, page 6.
- ^ Wafer Backgrind at Silicon Far East.