晶圆背面研磨
晶圆背面研磨是半导体器件制造中的一个步骤，其目的是减薄晶圆厚度，以实现集成电路（IC）的堆叠和高密度封装。
IC通常制造在经过多道工艺处理的半导体晶圆上。如今广泛使用的硅晶圆直径为200毫米和300毫米，厚度约为750微米，以确保基本的机械稳定性，并在高温工艺中防止翘曲。
若不在各个维度上尽可能缩小组件尺寸，智能卡、USB存储器、智能手机、便携式音乐播放器等超小型电子产品将无法实现。因此，在晶圆切割（即将晶圆分割成单个芯片）之前，通常会对晶圆背面进行研磨。如今，晶圆被减薄至75至50微米已很常见。[1]
在研磨前，晶圆通常会贴覆可紫外线固化的背面研磨胶带，以防止研磨过程中晶圆表面受损，并避免研磨液和/或碎屑渗入造成表面污染。[2]整个过程中，晶圆还会使用去离子水清洗，以帮助防止污染。[3]
晶圆背面研磨过程也称为“背磨”（backlap）[4]、“晶圆减薄”（wafer thinning）。[5]
完成背面研磨后，晶圆会通过称为晶圆切割的工艺被切割成单个芯片。
相关
[编辑]参考
[编辑]- ^ International Technology （页面存档备份，存于互联网档案馆） Roadmap for Semiconductors 2009 edition, page 12-53.
- ^ BG Tape （页面存档备份，存于互联网档案馆）, by Lintec of America.
- ^ Wafer Preparation （页面存档备份，存于互联网档案馆）, by Syagrus Systems.
- ^ Introduction to Semiconductor Technology, by STMicroelectronics, page 6.
- ^ Wafer Backgrind at Silicon Far East.