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相变化记忆体

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相变化记忆体(英语:Phase-change memory,英语:Ovonic Unified Memory,英语:Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位记忆体,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物玻璃英语Chalcogenide glass(Chalcogenide glass)制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃英语Chalcogenide glass的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪记忆体的技术之一。

技术内容

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限制

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发展状况

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Intel在2003年开始进行研发。

目前研究的单位有 Intel,Samsung,Macronix,Advanced Memory Corp.

外部链接

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